Автор |
Сообщение |
admin
|
Заголовок сообщения: Схематическое изображение потенциального барьера. Как лучше? Добавлено: 10 авг 2013, 17:09 |
|
Зарегистрирован: 13 июл 2009, 18:52 Сообщения: 7140
|
Собственно сабж. Хочу сделать анимированную картинку движения дырок и электронов навстречу друг другу, но не могу выбрать более наглядную вариант. Обычно рисуют вот так, но мне не очень нравится. Попытался креативеть. Но, может лучше целые атомы изобразить?
Вложения: |
Схематическое изображение полупроводникового барьера.png [ 4.17 Кб | Просмотров: 16875 ]
|
_________________ Сделай сам. О бюджетном решении технических, и не только, задач. >>>
|
|
Вернуться к началу |
|
|
qza
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 10 авг 2013, 23:28 |
|
Зарегистрирован: 30 авг 2011, 07:49 Сообщения: 14404 Откуда: СССР / ЕС :)
|
А что вы хотите показать, избыток дырок и электронов? Боюсь, что если начнём углубляться, то опять ударимся в "новую физику" ... ведь связь гравитации и заряда до сих пор весьма условна...
_________________ СделайСамСвоимиРуками / ЕслиСэкономишь
|
|
Вернуться к началу |
|
|
qza
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 01:02 |
|
Зарегистрирован: 30 авг 2011, 07:49 Сообщения: 14404 Откуда: СССР / ЕС :)
|
А чем вас не устраивает такой рисунок? Что вы называете электротоком, направленное движение заряженных частиц? Обычно электронику начинают изучать с электровакуумных приборов, там полупроводящие свойства очевидны. Нагретый катод испускает электроны (термоэлектронная эмиссия), которые вызывают электроток в вакууме от катода к аноду при приложении положительного напряжения к аноду, а при обратной напряжении носителям заряда просто неоткуда взяться, поскольку анод такой эмиссией не обладает, поэтому электротока нет. Полупроводник делает тоже самое, только в твёрдом теле. Электроны н-области свободно перемещаются по вакансиям п-области, также как сами вакансии перемещаются в н-области в противоположном направлении, таким образом течет электроток в полупроводнике, а сам p-n-переход просто осуществляет электрический контакт. Очевидно, что при приложении обратного напряжения, как показано на нижнем рисунке, электротока не будет, поскольку вышеописанный процесс перемещения электронов по дырочной области, и дырок по электронной не случится.
_________________ СделайСамСвоимиРуками / ЕслиСэкономишь
|
|
Вернуться к началу |
|
|
nikolaich
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 07:16 |
|
Зарегистрирован: 29 ноя 2012, 00:43 Сообщения: 1972 Откуда: балаково саратовской губернии
|
Да уж, эти дырки меня вообще с толку сбивают.
/"Боюсь, что если начнём углубляться, то опять ударимся в "новую физику"/ Точно. Придётся все учебники переписать.
Анимированная картинка это конечно здорово,но очень важно отобразить то, что дырки( ядра без электронов) сами никуда двигаться не могут. Двигаются, всё таки , электроны.
Вторая картинка ( левая часть) отлично показывает электроны и дырки. А полный атом можно нарисовать не используя знаки " равно" и "минус". Как бы- минус рядом с плюсом и есть равенство( отсутствие полярности).
И в двух словах указать на то, что вопреки принятым правилам / ток течёт от плюса к минусу/, электроны то текут от минуса к плюсу.
Админ, а статья будет только о переходах, или всёже затронет каскады?
_________________ Люди сами виноваты в том, что наделили Бога властью над собой.
|
|
Вернуться к началу |
|
|
admin
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 09:40 |
|
Зарегистрирован: 13 июл 2009, 18:52 Сообщения: 7140
|
Да, в том то и дело, что нужно так нарисовать, чтобы было сразу понятно. Люди всё меньше себя утруждают чтением. Хотел, чтобы было три в одном, и атомы и заряды и барьер.
Если нарисовать кружки, как заряды, тогда вроде можно сделать их одинакового размера и формы. Но если они не будут двигаться, как атомы в решётке, то тогда будет непонятно, как переносится заряд. Наверное, придётся таки отдельно рисовать атомы с дырками и без и заряды. Может так и сделаю. Но, это сразу всё усложнит. Я ж, напротив, пытаюсь всё упростить до такой степени, которой бы хватило для понимания работы простых схем на дискретных элементах.
nikolaich Нет, я пишу примерно по такому плану:
Пролог Как устроен полупроводниковый диод? Как устроен биполярный транзистор? Как работает биполярный транзистор? Какие бывают схемы включения биполярного транзистора? Как измерить коэффициент усиления по току биполярного транзистора? Что такое составной транзистор? Как проверить биполярный транзистор? Чем заменить неисправный транзистор?
Если хватит терпения, напишу и про полевые транзисторы. Заодно и сам вспомню, так как уже давно их не использовал.
_________________ Сделай сам. О бюджетном решении технических, и не только, задач. >>>
|
|
Вернуться к началу |
|
|
nikolaich
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 13:00 |
|
Зарегистрирован: 29 ноя 2012, 00:43 Сообщения: 1972 Откуда: балаково саратовской губернии
|
первая картинка уже анимирована. кристаллы ,образующие переход, движутся на встречу друг другу. почему? если оно символизирует разность потенциалов,то очень условно.для начинающих такие условности не понятны. (да уж,задача не простая) может просто батарейку пририсовать? и дырки нагляднее(доступнее) выглядят как надкусанное яблоко ( гыгы- можно у концерна Apple даже денег попросить,вроде как за ненавязчивую рекламу) вобщем- анимация не очень понятная,надо что нибудь другое придумать. вы пока текст пишите,а картинки опосля добавим.идея может и во сне явиться. начало текста покажите,там тоже могут быть словосочетания ,при редактировании которых, придётся весь текст видоизменять. ( задача хоть и не простая,но интересная!) ----- qza подключайся,давайте сообща создадим чего нибудь, сколько можно грязи лить!
_________________ Люди сами виноваты в том, что наделили Бога властью над собой.
|
|
Вернуться к началу |
|
|
nikolaich
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 13:03 |
|
Зарегистрирован: 29 ноя 2012, 00:43 Сообщения: 1972 Откуда: балаково саратовской губернии
|
Юра ,в названии темы добавьте букву Н в слове поте.циального.
_________________ Люди сами виноваты в том, что наделили Бога властью над собой.
|
|
Вернуться к началу |
|
|
qza
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 14:59 |
|
Зарегистрирован: 30 авг 2011, 07:49 Сообщения: 14404 Откуда: СССР / ЕС :)
|
Как вы думаете, что такое полупроводник? Почему он так называется? Чем отличатся от проводника и диэлектрика ? Что касается "новой физики", то я уже сказал, что то, что вы пытаетесь изобразить весьма условно, поскольку является лишь абстрактной физической моделью наблюдаемых явлений, наиболее точно и наглядно описывающей происходящее на самом деле. С тем же успехом можно электроток изобразить потоком воды в водопроводе. В данном случае, на верхнем рисунке, изображена область рекомбинации, в которую поставляются положительные заряды от плюса и отрицательные от минуса, благодаря чему и осуществляется электроток в цепи, как направленное движение заряженных частиц. Источник, допустим батарейка, создаёт разность потенциалов (напряжение) на своих полюсах, т.е. избыток положительных или отрицательных зарядов, но только относительно своего противоположного полюса, поэтому ток возможен лишь в замкнутой (и только между этими полюсами) цепи. p-n-переход, в этом случае, можно изобразить как пропасть, куда эти положительные и отрицательных заряды сваливаются для рекомбинации, и благодаря чему цепь замыкается. И напротив, если приложено противоположное напряжение, то оно удерживает положительные и отрицательные заряды от рекомбинации (т.е. от сваливания в пропасть), и поэтому тока в цепи нет. Тот такое абстрактное представление полупроводникового перехода, аналогий можно напридумывать массу .
_________________ СделайСамСвоимиРуками / ЕслиСэкономишь
|
|
Вернуться к началу |
|
|
qza
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 15:18 |
|
Зарегистрирован: 30 авг 2011, 07:49 Сообщения: 14404 Откуда: СССР / ЕС :)
|
Что касается вопроса в моём предыдущем сообщении, непосредственно с ним связан другой вопрос: что такое биполярный транзистор? "Почему он так называется? Чем отличатся от" униполярного ? Далее просто наиболее важные для понимания цитаты из вики: Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевой транзистор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы полевого транзистора не требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из функций истока и стока может выполнять каждый из этих электродов транзистора. В-третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с p-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисторов в схемах.
_________________ СделайСамСвоимиРуками / ЕслиСэкономишь
|
|
Вернуться к началу |
|
|
qza
|
Заголовок сообщения: Re: Схематическое изображеие потециального барьера. Как лучше? Добавлено: 11 авг 2013, 15:44 |
|
Зарегистрирован: 30 авг 2011, 07:49 Сообщения: 14404 Откуда: СССР / ЕС :)
|
Вики: Дырка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду в полупроводниках. Определение по ГОСТ 22622-77: Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона. Понятие дырки вводится в зонной теории для описания электронных явлений в не полностью заполненной электронами валентной зоне. ... В физике твёрдого тела, ды́рка — это отсутствие электрона в электронной оболочке. В некоторых случаях, поведение дырки внутри кристаллической решётки полупроводника сравнимо с поведением пузыря в полной бутылке с водой[1]. Дырочная проводимость может быть объяснена следующим образом: представьте себе ряд людей сидящих в аудитории, где нет запасных стульев. Если кто-нибудь из середины ряда хочет уйти, он прыгает через спинку стула в пустой ряд и уходит. Здесь пустой ряд — аналогия зоны проводимости, а ушедшего человека можно сравнить с свободным электроном. Теперь представим, что ещё кто-то хочет прийти и сесть. В пустом проходе неудобно находиться, и он хочет сесть. Тогда зритель, сидящий возле пустого места пересаживается туда, и это повторяют все его соседи. Таким образом, пустое место как бы двигается к краю ряда. Когда вакантное место окажется рядом с новым зрителем, он сможет сесть в освободившееся место. В этом процессе каждый сидящий передвинулся вдоль ряда. Если представить, что зрители это отрицательно заряженные электроны, такое движение можно было бы назвать электрической проводимостью, тогда вакантные места обладают положительным зарядом. Это простая модель, показывающая как дырочная проводимость работает. Однако в реальности, из-за свойств кристаллической решётки, дырка не локализована в определённом месте, как описано выше, а размазана на площади многих сотен кристаллических решеток.
_________________ СделайСамСвоимиРуками / ЕслиСэкономишь
|
|
Вернуться к началу |
|
|
Кто сейчас на конференции |
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 6 |
|
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
|
|
|